Categorii
Modul Tranzistor 850V 65A SOT227B IXFN66N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 850V 65A SOT227B IXFN66N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 850V 65A SOT227B IXFN66N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 850V 65A SOT227B IXFN66N85X

IXFN66N85X
Modul; mono-tranzistor; 850V; 65A; SOT227B; înşurubare; Idm: 140A
362,75 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

100.90 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 850V 65A SOT227B înşurubare este un produs de înaltă calitate fabricat de către IXYS. Acest modul cu tranzistor MOSFET X-Class oferă o putere disipată de 830W, ceea ce îl face ideal pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Cu o structură semiconductorului mono-tranzistor și o rezistență în timpul funcționării de 65mΩ, acest modul asigură performanțe fiabile și durabile.

Cu un curent de drenă în impuls de 140A și un curent de drenă de 65A, acest modul poate gestiona sarcini de putere mari fără probleme. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și sigură, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 850V și tensiunea poartă-sursă de ±40V permit o gamă largă de aplicații.

Montarea mecanică și electrică înșurubare facilitează instalarea și întreținerea acestui modul, iar subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 230nC contribuie la performanțele excelente ale acestui produs. Cu un timp de restabilire rapid de 250ns, acest modul este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și eficientă a energiei.

În concluzie, modulul mono-tranzistor 850V 65A SOT227B înșurubare de la IXYS reprezintă o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile electronice care necesită o gestionare eficientă a energiei și o funcționare fiabilă pe termen lung.
Detalii ale produsului
6 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFN66N85X
Producător IXYS
Putere disipată 830W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 140A
Polarizare unipolar
Curent drenă 65A
Tensiune drenă-sursă 850V
Tensiune poartă-sursă ±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării 65mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 230nC
Timp de restabilire 250ns
Tehnologie HiPerFET™
X-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: