Categorii
Modul; mono-tranzistor; 100V; 360A; SOT227B; înşurubare; Idm: 900A
  • Modul; mono-tranzistor; 100V; 360A; SOT227B; înşurubare; Idm: 900A

Modul mono-tranzistor IXYS 100V 360A SOT227B Idm: 900A

IXFN360N10T
Modul; mono-tranzistor; 100V; 360A; SOT227B; înşurubare; Idm: 900A
205,48 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

61.50 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modul mono-tranzistor IXYS 100V 360A SOT227B Idm: 900A este soluția ideală pentru aplicații de putere înaltă, având un design avansat care maximizează performanța și eficiența. Fabricat de IXYS, acest modul cu carcasă SOT227B dispune de o putere disipată de 830W, ceea ce îl face potrivit pentru utilizări intensive. Montarea electrică și mecanică se realizează ușor prin înşurubare, facilitând integrarea rapidă în diverse sisteme.

Tipul modulului, bazat pe tranzistor MOSFET, asigură o gestionare eficientă a energiei, iar structura semiconductorului de tip mono-tranzistor permite operarea la curent de drenă de 360A și curent de drenă în impuls de până la 900A. Tensiunea drenă-sursă de 100V, împreună cu tensiunea poartă-sursă de ±30V, garantează stabilitate și fiabilitate în funcționare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 2,6mΩ și un timp de restabilire rapid de 130ns, acest modul se dovedește a fi extrem de performant. Tehnologiile HiPerFET™ și GigaMOS™ contribuie la eficiența energetică și la reducerea pierderilor, făcând din acest produs o alegere excelentă pentru inginerii care caută soluții fiabile și eficiente. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 525nC completează specificațiile tehnice de vârf, oferind un modul de înaltă calitate, perfect pentru aplicații industriale și comerciale.
Detalii ale produsului
238 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFN360N10T
Producător IXYS
Putere disipată 830W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 900A
Polarizare unipolar
Curent drenă 360A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 525nC
Timp de restabilire 130ns
Tehnologie GigaMOS™
HiPerFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: