Categorii
  • Stoc epuizat
Modul Tranzistor 500V 112A SOT227B IXFN132N50P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 500V 112A SOT227B IXFN132N50P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 500V 112A SOT227B IXFN132N50P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 500V 112A SOT227B IXFN132N50P3

IXFN132N50P3
Modul; mono-tranzistor; 500V; 112A; SOT227B; înşurubare; Idm: 330A
301,94 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

85.66 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 500V 112A SOT227B înşurubare de la IXYS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest modul, cu tranzistor MOSFET, beneficiază de tehnologia Polar™, oferind performanțe remarcabile într-un format compact și ușor de montat. Carcasa SOT227B permite o montare rapidă și sigură, atât mecanică, cât și electrică.

Structura semiconductorului, mono-tranzistorul, asigură o funcționare eficientă și fiabilă, iar puterea disipată de 1.5kW permite utilizarea în aplicații cu cerințe ridicate de putere. Cu un curent de drenă în impuls de 330A și un curent drenă de 112A, acest modul poate gestiona sarcini de mare intensitate cu ușurință. De asemenea, tensiunea drenă-sursă de 500V și tensiunea poartă-sursă de ±40V asigură o compatibilitate extinsă cu diverse surse de alimentare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 39mΩ, acest modul oferă o eficiență termică excelentă, reducând pierderile de energie și îmbunătățind performanța sistemului. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 250nC completează caracteristicile deosebite ale acestui produs, oferind soluții flexibile și fiabile pentru aplicațiile dumneavoastră. Timpul de restabilire rapid de 250ns asigură o protecție eficientă împotriva supratensiunilor și a supratensiunilor.

IXYS demonstrează încă o dată angajamentul său față de inovație și calitate, oferind un modul mono-tranzistor de înaltă performanță, perfect adaptat nevoilor dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFN132N50P3
Producător IXYS
Putere disipată 1,5kW
1.5kW
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 330A
Polarizare unipolar
Curent drenă 112A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării 39mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 250nC
Timp de restabilire 250ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: