Categorii
  • Stoc epuizat
Modul Mono-Tranzistor 100V 210A 830W SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 100V 210A 830W SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 100V 210A 830W SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 100V 210A 830W SOT227B

IXTN210P10T
Modul; mono-tranzistor; -100V; -210A; SOT227B; înşurubare; 830W
325,51 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

91.57 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modul mono-tranzistor -100V -210A SOT227B înşurubare 830W, IXTN210P10T de la IXYS este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile electronice. Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET puternic, având o putere disipată impresionantă de 830W. Tehnologia TrenchP™ utilizată asigură o funcționare eficientă și fiabilă.

Cu o montare mecanică și electrică simplă, acest modul este ușor de integrat în diferite proiecte. Structura semiconductorului mono-tranzistor și subtipul canal îmbogățit contribuie la performanțe superioare. Polarizarea unipolară și rezistența redusă în timpul funcționării de doar 7.5mΩ fac acest modul ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de curent și tensiune.

Cu un curent de drenă de până la -210A și o tensiune drenă-sursă de -100V, acest modul oferă o funcționare stabilă și eficientă. Tensiunea poartă-sursă de ±15V și încărcătura poartă de 740nC completează caracteristicile excelente ale acestui modul. Timpul de restabilire rapid de doar 200ns asigură o protecție eficientă împotriva supratensiunilor.

IXYS este producătorul de încredere al acestui modul de înaltă calitate, iar carcasa SOT227B oferă protecție și durabilitate sporite. Cu performanțe remarcabile și caracteristici de top, Modul mono-tranzistor -100V -210A SOT227B înşurubare 830W, IXTN210P10T este alegerea perfectă pentru aplicațiile electronice exigente.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXTN210P10T
Producător IXYS
Putere disipată 830W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls -800A
Polarizare unipolar
Curent drenă -210A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 7,5mΩ
7.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 740nC
Timp de restabilire 200ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: