Descriere
Modul mono-tranzistor -100V -210A SOT227B înşurubare 830W, IXTN210P10T de la IXYS este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile electronice. Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET puternic, având o putere disipată impresionantă de 830W. Tehnologia TrenchP™ utilizată asigură o funcționare eficientă și fiabilă.
Cu o montare mecanică și electrică simplă, acest modul este ușor de integrat în diferite proiecte. Structura semiconductorului mono-tranzistor și subtipul canal îmbogățit contribuie la performanțe superioare. Polarizarea unipolară și rezistența redusă în timpul funcționării de doar 7.5mΩ fac acest modul ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de curent și tensiune.
Cu un curent de drenă de până la -210A și o tensiune drenă-sursă de -100V, acest modul oferă o funcționare stabilă și eficientă. Tensiunea poartă-sursă de ±15V și încărcătura poartă de 740nC completează caracteristicile excelente ale acestui modul. Timpul de restabilire rapid de doar 200ns asigură o protecție eficientă împotriva supratensiunilor.
IXYS este producătorul de încredere al acestui modul de înaltă calitate, iar carcasa SOT227B oferă protecție și durabilitate sporite. Cu performanțe remarcabile și caracteristici de top, Modul mono-tranzistor -100V -210A SOT227B înşurubare 830W, IXTN210P10T este alegerea perfectă pentru aplicațiile electronice exigente.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTN210P10T |
Producător |
IXYS |
Putere disipată |
830W |
Tip modul |
cu tranzistor MOSFET |
Carcasă |
SOT227B |
Montare electrică |
înşurubare |
Montare mecanică |
înşurubare |
Structura semiconductorului |
mono-tranzistor |
Curent de drenă în impuls |
-800A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
-210A |
Tensiune drenă-sursă |
-100V |
Tensiune poartă-sursă |
±15V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
7,5mΩ
7.5mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
740nC |
Timp de restabilire |
200ns |
Tehnologie |
TrenchP™ |
Fisiere asociate
Descarcari