Categorii
  • Stoc epuizat
Modul Mono-Tranzistor 150V 310A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 150V 310A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 150V 310A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 150V 310A SOT227B

IXFN360N15T2
Modul; mono-tranzistor; 150V; 310A; SOT227B; înşurubare; Idm: 900A
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 150V 310A SOT227B înşurubare de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică de putere. Cu o putere disipată impresionantă de 1,07kW, acest modul oferă performanțe remarcabile. Montarea electrică și mecanică înșurubare facilitează instalarea și utilizarea acestuia.

Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET de înaltă calitate, cu o structură semiconductor mono-tranzistor, care permite un curent de drenaj în impuls de până la 900A. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 310A fac din acest modul o alegere fiabilă pentru aplicațiile dumneavoastră.

Cu o tensiune drenaj-sursă de 150V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest modul oferă performanțe excelente în diverse scenarii de utilizare. Rezistența în timpul funcționării de 4mΩ asigură o eficiență ridicată a dispozitivului.

Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 715nC sunt caracteristici care contribuie la performanța superioară a acestui modul. Timpul de restabilire de 150ns și tehnologiile inovatoare TrenchT2™, HiPerFET™ și GigaMOS™ completează gama de caracteristici impresionante ale acestui modul.

IXYS a creat un produs de înaltă calitate, care va satisface cerințele dumneavoastră în aplicațiile de electronică de putere. Alegeți modulul mono-tranzistor 150V 310A SOT227B înșurubare pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFN360N15T2
Producător IXYS
Putere disipată 1,07kW
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 900A
Polarizare unipolar
Curent drenă 310A
Tensiune drenă-sursă 150V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 715nC
Timp de restabilire 150ns
Tehnologie GigaMOS™
HiPerFET™
TrenchT2™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: