Descriere
Modulul mono-tranzistor 500V 75A SOT227B înşurubare de la IXYS este o piesă de inginerie electrică de înaltă calitate, proiectată pentru a satisface cele mai exigente cerințe din domeniul electronicelor. Producătorul acestui modul este IXYS, garantând standarde ridicate de calitate și performanță. Carcasa SOT227B oferă durabilitate și protecție împotriva factorilor externi, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă în diverse medii de lucru.
Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET de tip HiPerFET™, care oferă o eficiență sporită și performanțe superioare. Montarea mecanică înșurubare facilitează instalarea și întreținerea, asigurând o conectare sigură și solidă. Structura semiconductorului mono-tranzistor optimizează conducerea curentului și disiparea căldurii, prevenind supraîncălzirea și asigurând o funcționare eficientă.
Cu o putere disipată de 1.04kW și un curent de drenă în impuls de 250A, acest modul este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Polarizarea unipolară, curentul drenă de 75A și tensiunea drenă-sursă de 500V asigură performanțe constante și stabile. Tensiunea poartă-sursă de ±30V, rezistența în timpul funcționării de 49mΩ și subtipul canal îmbogățit completează caracteristicile tehnice remarcabile ale acestui modul.
Cu o încărcătură poartă de 240nC și un timp de restabilire de 200ns, acest modul mono-tranzistor este o alegere excelentă pentru aplicații care necesită reacții rapide și precizie în controlul curentului. Fiabilitatea și performanța superioară fac din acest modul un produs de încredere pentru proiectele electrice și electronice complexe.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXFN100N50P |
Producător |
IXYS |
Putere disipată |
1.04kW |
Tip modul |
cu tranzistor MOSFET |
Carcasă |
SOT227B |
Montare electrică |
înşurubare |
Montare mecanică |
înşurubare |
Structura semiconductorului |
mono-tranzistor |
Curent de drenă în impuls |
250A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
75A |
Tensiune drenă-sursă |
500V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
49mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
240nC |
Timp de restabilire |
200ns |
Tehnologie |
HiPerFET™ |
Fisiere asociate
Descarcari