Categorii
Modul Mono-Tranzistor 1,2kV 110A SOT227B DACMI160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 1,2kV 110A SOT227B DACMI160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 1,2kV 110A SOT227B DACMI160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 1,2kV 110A SOT227B DACMI160N1200

DACMI160N1200
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 110A; SOT227B; înşurubare; Idm: 400A
539,50 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

145.18 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 1,2kV 110A SOT227B înşurubare Idm: 400A, DACMI160N1200 oferă performanțe remarcabile și fiabilitate deosebită, fiind produs de DACO Semiconductor. Carcasa SOT227B asigură o montare simplă și eficientă, iar tehnologia avansată SiC îi conferă o durată lungă de viață.

Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -55 și 150°C, acest modul cu tranzistor MOSFET este ideal pentru aplicații în condiții extreme. Montarea mecanică și electrică în șurubare facilitează integrarea sa în diverse sisteme, iar structura semiconductorului mono-tranzistor garantează o funcționare optimă.

Modulul poate disipa o putere de până la 580W, având un curent de drenă în impuls de 400A. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 110A fac din acest produs o alegere excelentă pentru aplicații de putere. De asemenea, tensiunea drenă-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă cuprinsă între -5 și 20V îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 20mΩ, acest modul mono-tranzistor DACMI160N1200 este soluția ideală pentru proiectele ce necesită o performanță superioară și o durabilitate deosebită.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință DACMI160N1200-DCO
Producător DACO Semiconductor
Temperatura de lucru -55...150°C
Putere disipată 580W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 400A
Polarizare unipolar
Curent drenă 110A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă -5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: