Categorii
Modul Tranzistor 1,2kV 50A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1,2kV 50A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1,2kV 50A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 1,2kV 50A SOT227B

DACMI80N1200
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 50A; SOT227B; înşurubare; Idm: 250A
398,77 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

109.92 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modul mono-tranzistor 1,2kV 50A SOT227B înşurubare Idm: 250A, DACMI80N1200 produs de DACO Semiconductor este o soluție inovatoare pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest modul este proiectat pentru a oferi performanțe excelente într-un format compact și ușor de instalat.

Cu o carcasă SOT227B durabilă, acest modul poate funcționa la temperaturi cuprinse între -55 și 150°C, asigurând o funcționare fiabilă în diverse medii de lucru. Tipul de modul cu tranzistor MOSFET și tehnologia SiC asigură o eficiență ridicată și performanțe superioare.

Montarea mecanică și electrică înșurubare facilitează instalarea acestui modul în diverse aplicații, iar structura semiconductorului mono-tranzistor oferă o funcționare stabilă și durabilă. Cu o putere disipată de 460W și un curent de drenă în impuls de 250A, acest modul poate gestiona sarcini de lucru intensive cu ușurință.

Polarizarea unipolară și un curent de drenă de 50A fac din acest modul o alegere ideală pentru aplicațiile de putere. Tensiunea drenă-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă de -10...20V asigură o funcționare sigură și eficientă, iar rezistența în timpul funcționării de 34mΩ garantează o disipare minimă a energiei.

În concluzie, modulul mono-tranzistor 1,2kV 50A SOT227B înșurubare Idm: 250A, DACMI80N1200 este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere, oferind performanțe de top și fiabilitate pe termen lung. Alegeți calitatea și inovația cu acest produs de la DACO Semiconductor!
Detalii ale produsului
4 Produse

Fisa tehnica

Referință DACMI80N1200-DCO
Producător DACO Semiconductor
Temperatura de lucru -55...150°C
Putere disipată 460W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 250A
Polarizare unipolar
Curent drenă 50A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă -10...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 34mΩ
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: