Categorii
Modul Mono-Tranzistor 1.2kV 125A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 1.2kV 125A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 1.2kV 125A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 1.2kV 125A SOT227B

DACMI200N1200
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 125A; SOT227B; înşurubare; Idm: 500A
1.388,55 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

357.88 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modul mono-tranzistor 1,2kV 125A SOT227B înşurubare Idm: 500A, DACMI200N1200 este un produs de înaltă calitate fabricat de DACO Semiconductor. Acest modul este proiectat pentru a funcționa în condiții de temperatură cuprinse între -55 și 150°C, asigurând o performanță optimă într-o gamă largă de aplicații. Cu o carcasă SOT227B și o tehnologie avansată SiC, acest modul este extrem de fiabil și eficient din punct de vedere energetic.

Montarea mecanică și electrică a acestui modul este simplă și rapidă, datorită designului înșurubare. Structura semiconductorului mono-tranzistor oferă o funcționare stabilă și durabilă, iar puterea disipată de 980W asigură o performanță excelentă în aplicații exigente.

Cu un curent de drenă în impuls de 500A și un curent drenă de 125A, acest modul este capabil să gestioneze sarcini mari fără probleme. Polarizarea unipolară și o tensiune drenă-sursă de 1.2kV asigură o funcționare sigură și eficientă. Tensiunea poartă-sursă variabilă între -10 și 20V oferă flexibilitate în controlul dispozitivului.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 15mΩ, acest modul este proiectat pentru a oferi performanțe de top și fiabilitate pe termen lung. Indiferent de aplicația dvs., Modul mono-tranzistor 1,2kV 125A SOT227B înșurubare Idm: 500A, DACMI200N1200 este soluția ideală pentru cerințele dvs. de electronice de putere.
Detalii ale produsului
6 Produse

Fisa tehnica

Referință DACMI200N1200-DCO
Producător DACO Semiconductor
Temperatura de lucru -55...150°C
Putere disipată 980W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 500A
Polarizare unipolar
Curent drenă 125A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă -10...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 15mΩ
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: