Categorii
  • Stoc epuizat
Modul Tranzistor 250V 120A SOT227B IXFN140N25T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 250V 120A SOT227B IXFN140N25T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 250V 120A SOT227B IXFN140N25T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 250V 120A SOT227B IXFN140N25T

IXFN140N25T
Modul; mono-tranzistor; 250V; 120A; SOT227B; înşurubare; Idm: 400A
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modul mono-tranzistor 250V 120A SOT227B înşurubare Idm: 400A, IXFN140N25T de la IXYS este un modul cu tranzistor MOSFET ce oferă performanțe remarcabile în aplicațiile electronice. Cu o putere disipată de 690W, acest modul este ideal pentru situațiile în care este necesar un curent de drenă în impuls de până la 400A. Polarizarea unipolară și structura semiconductorului mono-tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă.

Montarea mecanică înşurubare și montarea electrică înşurubare fac instalarea acestui modul rapidă și ușoară. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 17mΩ, acest modul oferă performanțe de top în domeniul electronicelor. Tensiunea drenă-sursă de 250V și tensiunea poartă-sursă de ±30V fac din acest modul o alegere excelentă pentru diverse aplicații.

Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 255nC asigură o funcționare precisă și fiabilă în timp. Cu un timp de restabilire de doar 200ns, acest modul se remarcă prin rapiditatea și eficiența sa. IXYS este producătorul acestui modul de înaltă calitate, iar tehnologia HiPerFET™ garantează performanțe superioare în domeniul electronicelor.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFN140N25T
Producător IXYS
Putere disipată 690W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 400A
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 250V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 17mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 255nC
Timp de restabilire 200ns
Tehnologie GigaMOS™
HiPerFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: