Categorii
  • Stoc epuizat
Modul Mono-Tranzistor 300V 210A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 300V 210A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 300V 210A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 300V 210A SOT227B

IXFN210N30X3
Modul; mono-tranzistor; 300V; 210A; SOT227B; înşurubare; Idm: 650A
322,50 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

90.81 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 300V 210A SOT227B înşurubare de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită putere și eficiență ridicate. Acest modul este proiectat și fabricat de IXYS, un producător de renume în industria electronică. Cu o putere disipată de 695W, acest modul oferă performanțe remarcabile într-o varietate de aplicații.

Carcasa SOT227B asigură o montare electrică ușoară și sigură, iar montarea mecanică în șuruburi face instalarea simplă și rapidă. Tipul modulului, cu tranzistor MOSFET, oferă o funcționare eficientă și fiabilă. Structura semiconductorului, mono-tranzistor, asigură o performanță de încredere în timpul utilizării.

Cu un curent de drenaj în impuls de 650A, acest modul poate gestiona sarcini mari fără probleme. Polarizarea unipolară oferă o funcționare stabilă și constantă. Cu un curent de drenaj de 210A și o tensiune drenaj-sursă de 300V, acest modul oferă performanțe superioare în aplicațiile tale.

Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența de 4,6mΩ în timpul funcționării asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 375nC contribuie la performanțele excelente ale acestui modul. Timpul de restabilire de 190ns și tehnologiile HiPerFET™ și X3-Class completează caracteristicile impresionante ale acestui modul.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFN210N30X3
Producător IXYS
Putere disipată 695W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 650A
Polarizare unipolar
Curent drenă 210A
Tensiune drenă-sursă 300V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 375nC
Timp de restabilire 190ns
Tehnologie HiPerFET™
X3-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: