Categorii
Modul; mono-tranzistor; 600V; 50A; SOT227B; înşurubare; Idm: 250A
  • Modul; mono-tranzistor; 600V; 50A; SOT227B; înşurubare; Idm: 250A

Modul mono-tranzistor IXYS 600V 50A SOT227B înşurubare Idm 250A

IXKN75N60C
Modul; mono-tranzistor; 600V; 50A; SOT227B; înşurubare; Idm: 250A
453,19 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

123.56 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modul mono-tranzistor IXYS 600V 50A SOT227B înşurubare Idm 250A este soluția ideală pentru aplicațiile de putere care necesită performanțe ridicate și fiabilitate. Fabricat de IXYS, acest modul utilizează tehnologia avansată CoolMOS™, oferind o putere disipată de 560W, ceea ce asigură o gestionare eficientă a căldurii în condiții de funcționare intense.

Carcasa SOT227B permite o montare electrică și mecanică simplă prin înşurubare, facilitând integrarea în diverse aplicații industriale. Cu un curent de drenă de 50A și un curent de drenă în impuls de 250A, acest modul este capabil să suporte cerințele de curent mare, având în același timp o rezistență în timpul funcționării de doar 36mΩ, ceea ce contribuie la eficiența energetică.

Tensiunea drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±20V fac din acest modul un component versatil, potrivit pentru o varietate de aplicații, de la convertoare de putere la surse de alimentare. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 500nC asigură un timp de restabilire rapid de 580ns, îmbunătățind astfel performanța generală a sistemului.

Alege Modul mono-tranzistor IXYS 600V 50A SOT227B pentru o soluție eficientă și de încredere în proiectele tale de electronică de putere!
Detalii ale produsului
9 Produse

Fisa tehnica

Referință IXKN75N60C
Producător IXYS
Putere disipată 560W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 250A
Polarizare unipolar
Curent drenă 50A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 36mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 500nC
Timp de restabilire 580ns
Tehnologie CoolMOS™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: