Categorii
  • Nou
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 46A; SOT227B; înşurubare; Idm: 223A
  • Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 46A; SOT227B; înşurubare; Idm: 223A
  • Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 46A; SOT227B; înşurubare; Idm: 223A

Modul mono-tranzistor MOSFET 1,2kV 46A SOT227B înşurubare SMC DIODE SOLUTIONS

S3M0040120N
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 46A; SOT227B; înşurubare; Idm: 223A
191,46 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

57.99 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modul mono-tranzistor MOSFET 1,2kV 46A SOT227B de la SMC DIODE SOLUTIONS oferă performanțe superioare datorită tehnologiei avansate SiC și structurii mono-tranzistor cu subtip canal îmbogățit. Carcasa robustă SOT227B asigură disiparea optimă a puterii până la 483W, menținând stabilitatea termică chiar și în condiții exigente. Montarea electrică și mecanică se face prin înşurubare, facilitând instalarea sigură și fiabilă. Modul dispune de terminal Kelvin pentru o conectivitate precisă și minimizarea pierderilor. Curentul de drenă nominal este de 46A, cu un curent de drenă în impuls impresionant de 223A, iar tensiunea drenă-sursă suportată ajunge la 1,2kV, garantând o rezistență remarcabilă la supratensiuni. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă variabilă între -8 și 20V permit o flexibilitate ridicată în controlul funcționării. Rezistența în timpul funcționării este de doar 50mΩ, optimizând eficiența și reducând pierderile energetice. Acest modul reprezintă o soluție fiabilă și performantă pentru aplicații care necesită caracteristici electrice și mecanice avansate.
Detalii ale produsului
2 Produse

Fisa tehnica

Referință S3M0040120N-SMC
Producător SMC DIODE SOLUTIONS
Putere disipată 483W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 223A
Polarizare unipolar
Curent drenă 46A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -8...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 50mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.