Categorii
Modul Tranzistor 1,2kV 20A SOT227B IXFN20N120P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1,2kV 20A SOT227B IXFN20N120P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1,2kV 20A SOT227B IXFN20N120P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 1,2kV 20A SOT227B IXFN20N120P

IXFN20N120P
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; înşurubare; Idm: 50A
127,59 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

41.99 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 1,2kV 20A SOT227B înşurubare Idm: 50A, IXFN20N120P de la IXYS este un dispozitiv de mare putere care oferă performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest modul cu tranzistor MOSFET beneficiază de tehnologia avansată Polar™, care asigură o funcționare fiabilă și eficientă. Carcasa SOT227B permite o montare ușoară și sigură, atât mecanică, cât și electrică, prin înșurubare.

Cu o putere disipată de 595W, acest modul poate gestiona un curent de drenă în impuls de până la 50A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de mare putere. Polarizarea unipolară și structura semiconductorului mono-tranzistor asigură o performanță optimă în diverse condiții de funcționare.

Cu un curent de drenă de 20A și o tensiune drenă-sursă de 1.2kV, acest modul oferă o rezistență în timpul funcționării de 570mΩ, ceea ce îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere și eficiență. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 193nC asigură o comutare rapidă și precisă.

Timpul de restabilire de 300ns completează caracteristicile excelente ale acestui modul mono-tranzistor, oferindu-vă un dispozitiv de înaltă performanță pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Alegeți calitatea și fiabilitatea IXYS pentru nevoile dumneavoastră de inginerie electronică.
Detalii ale produsului
27 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFN20N120P
Producător IXYS
Putere disipată 595W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 50A
Polarizare unipolar
Curent drenă 20A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă ±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării 570mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 193nC
Timp de restabilire 300ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: