Categorii
Modul tranzistor 200V 160A SOT227B IXFN220N20X3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul tranzistor 200V 160A SOT227B IXFN220N20X3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul tranzistor 200V 160A SOT227B IXFN220N20X3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul tranzistor 200V 160A SOT227B IXFN220N20X3

IXFN220N20X3
Modul; mono-tranzistor; 200V; 160A; SOT227B; înşurubare; Idm: 500A
294,28 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

83.75 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 200V 160A SOT227B înşurubare Idm: 500A, IXFN220N20X3 de la IXYS este o soluție de vârf pentru aplicațiile care necesită o performanță excelentă și fiabilitate. Cu o putere disipată de 390W, acest modul se remarcă prin caracteristici deosebite care îl fac potrivit pentru diverse aplicații.

Fabricat de IXYS, acest modul mono-tranzistor are o carcasă SOT227B și este echipat cu un tranzistor MOSFET, conform tehnologiei X3-Class. Montarea mecanică și electrică se face prin înșurubare, asigurând astfel o conexiune sigură și stabilă. Structura semiconductorului este optimizată pentru o funcționare eficientă și durabilă.

Cu un curent de drenă în impuls de 500A și un curent de drenă continuu de 160A, acest modul oferă performanțe excelente în aplicații de putere medie și mare. Tensiunea drenă-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±30V permit utilizarea într-o varietate de aplicații. Rezistența în timpul funcționării de 6.2mΩ asigură o dissipare eficientă a căldurii.

Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 204nC contribuie la o funcționare optimă și fiabilă în diverse condiții de lucru. Timpul de restabilire de 128ns asigură o comutare rapidă și precisă. Modulul mono-tranzistor IXFN220N20X3 este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită performanță și fiabilitate superioare.
Detalii ale produsului
1 Obiect

Fisa tehnica

Referință IXFN220N20X3
Producător IXYS
Putere disipată 390W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 500A
Polarizare unipolar
Curent drenă 160A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 6,2mΩ
6.2mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 204nC
Timp de restabilire 128ns
Tehnologie HiPerFET™
X3-Class
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: