Descriere
Modul mono-tranzistor 200V 220A SOT227B înșurubare de la IXYS este un dispozitiv de mare putere, proiectat pentru a satisface cerințele critice ale aplicațiilor electronice. Acest modul impresionant este fabricat de IXYS, un producător de încredere în industria electronică. Cu o carcasă robustă SOT227B și o tehnologie avansată GigaMOS™, acest modul cu tranzistor MOSFET oferă o montare mecanică și electrică ușoară, asigurând o integrare simplă în proiectele dvs.
Cu o structură semiconductorului de tip mono-tranzistor, acest modul oferă o putere disipată impresionantă de 1090W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de mare putere. Cu un curent de drenă în impuls de 630A și un curent de drenă stabil de 220A, acest dispozitiv poate gestiona cu ușurință sarcini intensive.
Caracteristicile de polarizare unipolară și tensiunea drenă-sursă de 200V asigură performanțe fiabile și constante. Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și o rezistență în timpul funcționării de doar 7.5mΩ, acest modul oferă o eficiență excelentă și o funcționare optimă.
Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 358nC fac din acest modul o alegere ideală pentru aplicațiile sensibile la timp. Timpul de restabilire rapid de doar 200ns asigură o funcționare precisă și fără probleme.
În concluzie, Modul mono-tranzistor 200V 220A SOT227B înșurubare de la IXYS este o alegere excelentă pentru proiectele care necesită putere, fiabilitate și performanță de top în domeniul electronicelor. Alegeți calitatea și eficiența cu acest modul impresionant de la IXYS!
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXFN230N20T |
Producător |
IXYS |
Putere disipată |
1090W |
Tip modul |
cu tranzistor MOSFET |
Carcasă |
SOT227B |
Montare electrică |
înşurubare |
Montare mecanică |
înşurubare |
Structura semiconductorului |
mono-tranzistor |
Curent de drenă în impuls |
630A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
220A |
Tensiune drenă-sursă |
200V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
7,5mΩ
7.5mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
358nC |
Timp de restabilire |
200ns |
Tehnologie |
GigaMOS™ |
Fisiere asociate
Descarcari