Categorii
  • Stoc epuizat
Modul Tranzistor 1,2kV 30A SOT227B IXFN50N120SIC | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1,2kV 30A SOT227B IXFN50N120SIC | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 1,2kV 30A SOT227B IXFN50N120SIC | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 1,2kV 30A SOT227B IXFN50N120SIC

IXFN50N120SIC
Modul; mono-tranzistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; înşurubare; 100nC
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 1,2kV 30A SOT227B înşurubare 100nC, IXFN50N120SIC de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o performanță superioară. Acest produs este fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică. Carcasa SOT227B oferă o montare mecanică simplă, prin înșurubare, ceea ce facilitează instalarea și întreținerea dispozitivului.

Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET mono, care utilizează tehnologia SiC de ultimă generație. Structura semiconductorului este proiectată pentru a asigura o funcționare eficientă și fiabilă pe termen lung. Polarizarea unipolară permite o gestionare simplă a curentului, iar curentul de drenaj de 30A și tensiunea de drenaj-sursă de 1.2kV fac posibilă utilizarea acestui modul în aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Tensiunea poartă-sursă variabilă între -10 și 25V oferă flexibilitate în funcționare, iar rezistența redusă de 50mΩ asigură o eficiență optimă a dispozitivului. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 0.1µC contribuie la performanța superioară a acestui modul. Timpul de restabilire rapid de 26ns îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp.

În concluzie, modulul mono-tranzistor IXFN50N120SIC este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o combinație între performanță, fiabilitate și eficiență. Acest produs de înaltă calitate oferă soluții inovatoare pentru cerințele dumneavoastră specifice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFN50N120SIC
Producător IXYS
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Polarizare unipolar
Curent drenă 30A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă -10...25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 50mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,1µC
0.1µC
Timp de restabilire 26ns
Tehnologie HiPerFET™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: