Descriere
Modulul mono-tranzistor 1,2kV 30A SOT227B înşurubare 100nC, IXFN50N120SIC de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o performanță superioară. Acest produs este fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică. Carcasa SOT227B oferă o montare mecanică simplă, prin înșurubare, ceea ce facilitează instalarea și întreținerea dispozitivului.
Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET mono, care utilizează tehnologia SiC de ultimă generație. Structura semiconductorului este proiectată pentru a asigura o funcționare eficientă și fiabilă pe termen lung. Polarizarea unipolară permite o gestionare simplă a curentului, iar curentul de drenaj de 30A și tensiunea de drenaj-sursă de 1.2kV fac posibilă utilizarea acestui modul în aplicații cu cerințe ridicate de putere.
Tensiunea poartă-sursă variabilă între -10 și 25V oferă flexibilitate în funcționare, iar rezistența redusă de 50mΩ asigură o eficiență optimă a dispozitivului. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 0.1µC contribuie la performanța superioară a acestui modul. Timpul de restabilire rapid de 26ns îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp.
În concluzie, modulul mono-tranzistor IXFN50N120SIC este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o combinație între performanță, fiabilitate și eficiență. Acest produs de înaltă calitate oferă soluții inovatoare pentru cerințele dumneavoastră specifice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXFN50N120SIC |
Producător |
IXYS |
Tip modul |
cu tranzistor MOSFET |
Carcasă |
SOT227B |
Montare electrică |
înşurubare |
Montare mecanică |
înşurubare |
Structura semiconductorului |
mono-tranzistor |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
30A |
Tensiune drenă-sursă |
1,2kV
1.2kV |
Tensiune poartă-sursă |
-10...25V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
50mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
0,1µC
0.1µC |
Timp de restabilire |
26ns |
Tehnologie |
HiPerFET™
SiC |
Fisiere asociate
Descarcari