Categorii
Modul Tranzistor 300V 192A SOT227B IXFN210N30P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 300V 192A SOT227B IXFN210N30P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 300V 192A SOT227B IXFN210N30P3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 300V 192A SOT227B IXFN210N30P3

IXFN210N30P3
Modul; mono-tranzistor; 300V; 192A; SOT227B; înşurubare; Idm: 550A
280,31 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

80.24 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 300V 192A SOT227B înşurubare Idm: 550A, IXFN210N30P3 de la IXYS este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile electronice. Acest dispozitiv impresionant vine cu o gamă de caracteristici importante care îl fac o alegere excelentă pentru proiectele dvs. Producătorul IXYS este cunoscut pentru calitatea și inovația produselor lor. Carcasa SOT227B oferă o protecție excelentă împotriva factorilor de mediu nocivi. Acest modul cu tranzistor MOSFET este proiectat cu tehnologia Polar3™, asigurând performanțe fiabile și eficiență ridicată. Montarea mecanică și electrică înșurubare facilitează integrarea acestui modul în diferite aplicații.

Structura semiconductorului mono-tranzistor și puterea disipată de 1.5kW fac din acest modul o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de putere. Cu un curent de drenaj în impuls de 550A și un curent de drenaj de 192A, acest modul poate gestiona sarcini grele fără probleme. Tensiunea drenaj-sursă de 300V și tensiunea poartă-sursă de ±30V oferă flexibilitate în proiectarea circuitelor.

Rezistența redusă în timpul funcționării de 14.5mΩ și subtipul canal îmbogățit asigură eficiență energetică și performanțe optime. Încărcătura poartă de 268nC și timpul de restabilire de 250ns completează caracteristicile impresionante ale acestui modul. Cu polarizare unipolară, acest modul mono-tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații din domeniul electronic.
Detalii ale produsului
1 Obiect

Fisa tehnica

Referință IXFN210N30P3
Producător IXYS
Putere disipată 1,5kW
1.5kW
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 550A
Polarizare unipolar
Curent drenă 192A
Tensiune drenă-sursă 300V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 14,5mΩ
14.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 268nC
Timp de restabilire 250ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar3™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: