Categorii
Modul Tranzistor 850V 110A SOT227B IXFN110N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 850V 110A SOT227B IXFN110N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 850V 110A SOT227B IXFN110N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 850V 110A SOT227B IXFN110N85X

IXFN110N85X
Modul; mono-tranzistor; 850V; 110A; SOT227B; înşurubare; Idm: 220A
575,92 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

154.30 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor IXYS 850V 110A SOT227B înşurubare Idm: 220A, IXFN110N85X este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită performanțe excelente. Cu o putere disipată de 1170W, acest modul oferă o soluție fiabilă și eficientă pentru necesitățile dumneavoastră. Tehnologia X-Class și structura semiconductorului mono-tranzistor asigură o funcționare optimă și o durată lungă de viață a produsului.

Cu o tensiune drenă-sursă de 850V și un curent de drenă de 110A, acest modul este potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Rezistența redusă în timpul funcționării de 33mΩ asigură o eficiență maximă, iar timpul de restabilire rapid de 205ns permite o comutare rapidă și precisă.

Montarea mecanică și electrică prin înșurubare facilitează instalarea și întreținerea, iar montarea în carcasă SOT227B oferă protecție suplimentară împotriva factorilor externi. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit completează caracteristicile tehnice impresionante ale acestui modul, făcându-l o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră exigente.
Detalii ale produsului
9 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFN110N85X
Producător IXYS
Putere disipată 1170W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 220A
Polarizare unipolar
Curent drenă 110A
Tensiune drenă-sursă 850V
Tensiune poartă-sursă ±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării 33mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 425nC
Timp de restabilire 205ns
Tehnologie HiPerFET™
X-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: