Categorii
Modul tranzistor 1,2kV 110A înşurubare DACMH160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul tranzistor 1,2kV 110A înşurubare DACMH160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul tranzistor 1,2kV 110A înşurubare DACMH160N1200 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul tranzistor 1,2kV 110A înşurubare DACMH160N1200

DACMH160N1200
Modul; tranzistor/tranzistor; 1,2kV; 110A; HB9434; înşurubare
1.230,76 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

318.35 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul tranzistor DACMH160N1200 este un dispozitiv de înaltă performanță fabricat de DACO Semiconductor, cu o carcasă durabilă HB9434 și o temperatură de lucru extinsă de la -55°C până la 150°C. Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET de tip SiC, care oferă o eficiență sporită și o durabilitate excelentă. Topologia semipunte MOSFET permite o funcționare fiabilă în diverse aplicații.

Montarea mecanică și electrică prin înșurubare facilitează instalarea și întreținerea acestui modul tranzistor. Cu o putere disipată de 580W și un curent de drenaj în impuls de 400A, acest dispozitiv poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și predictibilă.

Cu un curent de drenaj nominal de 110A și o tensiune drenaj-sursă de 1.2kV, acest modul tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Tensiunea poartă-sursă variabilă între -5V și 20V oferă flexibilitate în controlul dispozitivului.

Rezistența redusă în timpul funcționării de doar 20mΩ asigură o pierdere minimă de putere și o eficiență maximă. Cu caracteristici tehnice superioare și o construcție robustă, modulul tranzistor DACMH160N1200 este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere și control.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință DACMH160N1200-DCO
Producător DACO Semiconductor
Temperatura de lucru -55...150°C
Putere disipată 580W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Topologie semipunte MOSFET
Carcasă HB9434
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului tranzistor/tranzistor
Curent de drenă în impuls 400A
Polarizare unipolar
Curent drenă 110A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă -5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 20mΩ
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: