Modulul tranzistor DACMH160N1200 este un dispozitiv de înaltă performanță fabricat de DACO Semiconductor, cu o carcasă durabilă HB9434 și o temperatură de lucru extinsă de la -55°C până la 150°C. Acest modul este echipat cu un tranzistor MOSFET de tip SiC, care oferă o eficiență sporită și o durabilitate excelentă. Topologia semipunte MOSFET permite o funcționare fiabilă în diverse aplicații.
Montarea mecanică și electrică prin înșurubare facilitează instalarea și întreținerea acestui modul tranzistor. Cu o putere disipată de 580W și un curent de drenaj în impuls de 400A, acest dispozitiv poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și predictibilă.
Cu un curent de drenaj nominal de 110A și o tensiune drenaj-sursă de 1.2kV, acest modul tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Tensiunea poartă-sursă variabilă între -5V și 20V oferă flexibilitate în controlul dispozitivului.
Rezistența redusă în timpul funcționării de doar 20mΩ asigură o pierdere minimă de putere și o eficiență maximă. Cu caracteristici tehnice superioare și o construcție robustă, modulul tranzistor DACMH160N1200 este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere și control.