Categorii
  • Stoc epuizat
Modul Tranzistor 600V 66A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 600V 66A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 600V 66A SOT227B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 600V 66A SOT227B

IXFN82N60Q3
Modul; mono-tranzistor; 600V; 66A; SOT227B; înşurubare; Idm: 240A
506,57 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

136.93 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 600V 66A SOT227B înșurubare de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Cu o putere disipată de 960W și un curent de drenă în impuls de 240A, acest modul este potrivit pentru sarcini de lucru intensive. Tehnologia Q3-Class asigură performanțe superioare și o durată lungă de viață a dispozitivului. Carcasa SOT227B și montarea electrică și mecanică înșurubare fac instalarea simplă și eficientă.

Structura semiconductorului mono-tranzistor și rezistența redusă în timpul funcționării de 75mΩ asigură o conducere optimă a curentului. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la eficiența și performanța generală a modulului. Tensiunea drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±40V permit utilizarea într-o varietate de aplicații.

Cu o încărcătură de poartă de 275nC și un timp de restabilire de 300ns, acest modul mono-tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită comutare rapidă și precizie. Cu IXFN82N60Q3, puteți fi siguri că veți beneficia de performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFN82N60Q3
Producător IXYS
Putere disipată 960W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 240A
Polarizare unipolar
Curent drenă 66A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 275nC
Timp de restabilire 300ns
Tehnologie HiPerFET™
Q3-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: