Categorii
Modul Mono-Tranzistor 1.1kV 34A înșurubare IXFN40N110P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 1.1kV 34A înșurubare IXFN40N110P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Mono-Tranzistor 1.1kV 34A înșurubare IXFN40N110P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Mono-Tranzistor 1.1kV 34A înșurubare IXFN40N110P

IXFN40N110P
Modul; mono-tranzistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; înşurubare; Idm: 100A
196,21 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

59.18 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Modulul mono-tranzistor 1,1kV 34A SOT227B înşurubare Idm: 100A, IXFN40N110P de la IXYS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest modul cu tranzistor MOSFET este construit cu tehnologia Polar™, oferind performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.

Carcasa SOT227B asigură o montare rapidă și sigură, înșurubarea fiind ușoară și eficientă. Structura semiconductorului mono-tranzistor permite o disipare eficientă a puterii, cu o putere disipată maximă de 890W. Cu un curent de drenaj în impuls de 100A și un curent de drenaj continuu de 34A, acest modul se remarcă prin performanțe superioare.

Polarizarea unipolară, împreună cu o tensiune drenă-sursă de 1.1kV și o tensiune poartă-sursă de ±40V, fac din acest modul o alegere ideală pentru aplicații de putere cu cerințe ridicate. Rezistența în timpul funcționării de 0.26Ω și subtipul canal îmbogățit contribuie la eficiența și performanța acestui produs.

Cu o încărcătură de poartă de 310nC și un timp de restabilire de 300ns, modulul mono-tranzistor IXFN40N110P este potrivit pentru aplicații sensibile la timp și pentru cerințe de comutare rapide. Descoperiți calitatea și fiabilitatea oferite de acest produs de la IXYS, un producător de renume în industria electronică.
Detalii ale produsului
1 Obiect

Fisa tehnica

Referință IXFN40N110P
Producător IXYS
Putere disipată 890W
Tip modul cu tranzistor MOSFET
Carcasă SOT227B
Montare electrică înşurubare
Montare mecanică înşurubare
Structura semiconductorului mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls 100A
Polarizare unipolar
Curent drenă 34A
Tensiune drenă-sursă 1,1kV
1.1kV
Tensiune poartă-sursă ±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,26Ω
0.26Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 310nC
Timp de restabilire 300ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: