Categorii
Tranzistor N-MOSFET 700V 8A 150W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 700V 8A 150W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 700V 8A 150W IPAK

IXTU8N70X2
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; Idm: 16A; 150W; IPAK
37,70 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 700V 8A Idm: 16A 150W IPAK de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor de putere este conceput pentru a oferi performanțe fiabile și durabile într-o varietate de aplicații.

Caracteristicile cheie ale acestui produs includ o putere disipată de 150W, un curent de drenă în impuls de 16A și o polarizare unipolară. Cu o curent de drenă de 8A și o tensiune drenă-sursă de 700V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații de putere medie și mare.

Carcasa IPAK asigură o montare ușoară și sigură, iar rezistența în timpul funcționării de 0,5Ω garantează o dissipare eficientă a căldurii. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 12nC.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și un tip de tranzistor N-MOSFET, acest produs oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Alegeți tranzistorul N-MOSFET unipolar 700V 8A Idm: 16A 150W IPAK de la IXYS pentru aplicațiile dumneavoastră electronice cu încredere și siguranță.
Detalii ale produsului
66 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTU8N70X2
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 150W
Montare THT
Carcasă IPAK
Curent de drenă în impuls 16A
Polarizare unipolar
Curent drenă 8A
Tensiune drenă-sursă 700V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,5Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 12nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: