Categorii
  • Stoc epuizat
N-MOSFET RF 25V 50mA 360mW TO72 THT | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET RF 25V 50mA 360mW TO72 THT | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET RF 25V 50mA 360mW TO72 THT | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET RF 25V 50mA 360mW TO72 THT

NTE222
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 50mA; 360mW; TO72; THT
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar RF 25V 50mA 360mW TO72 THT, NTE222 oferă o performanță remarcabilă datorită caracteristicilor sale de top. Producătorul acestui tranzistor este NTE Electronics, garantând calitatea și fiabilitatea produsului. Cu o carcasă TO72 și montare electrică THT, acest tranzistor este ideal pentru aplicații în domeniul electronic.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ protecția la descărcări electrostatice (ESD protected gate), asigurând o funcționare sigură și stabilă. Cu o putere disipată de 0.36W, acest tranzistor poate face față unor sarcini de lucru intense. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 50mA fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru diverse aplicații.

Cu o tensiune drenă-sursă de 25V, acest tranzistor poate fi utilizat într-o varietate de circuite electronice. Subtipul canalului este sărăcit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET, fiind potrivit pentru aplicații RF. Cu un subtip de tranzistor RF, acesta oferă performanțe superioare în aplicațiile de radiofrecvență.

Tranzistorul N-MOSFET unipolar RF 25V 50mA 360mW TO72 THT, NTE222 este soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită o combinație de performanță, fiabilitate și durabilitate. Fiind un produs de înaltă calitate, acest tranzistor este alegerea ideală pentru profesioniștii din domeniul electronic.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință NTE222
Producător NTE Electronics
Putere disipată 0,36W
0.36W
Carcasă TO72
Montare electrică THT
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
dual gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 50mA
Tensiune drenă-sursă 25V
Subtip canal sărăcit
Tip tranzistor N-MOSFET
Subtip tranzistor RF
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: