Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar RF 25V 50mA 360mW TO72 THT, NTE222 oferă o performanță remarcabilă datorită caracteristicilor sale de top. Producătorul acestui tranzistor este NTE Electronics, garantând calitatea și fiabilitatea produsului. Cu o carcasă TO72 și montare electrică THT, acest tranzistor este ideal pentru aplicații în domeniul electronic.
Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ protecția la descărcări electrostatice (ESD protected gate), asigurând o funcționare sigură și stabilă. Cu o putere disipată de 0.36W, acest tranzistor poate face față unor sarcini de lucru intense. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 50mA fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru diverse aplicații.
Cu o tensiune drenă-sursă de 25V, acest tranzistor poate fi utilizat într-o varietate de circuite electronice. Subtipul canalului este sărăcit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET, fiind potrivit pentru aplicații RF. Cu un subtip de tranzistor RF, acesta oferă performanțe superioare în aplicațiile de radiofrecvență.
Tranzistorul N-MOSFET unipolar RF 25V 50mA 360mW TO72 THT, NTE222 este soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită o combinație de performanță, fiabilitate și durabilitate. Fiind un produs de înaltă calitate, acest tranzistor este alegerea ideală pentru profesioniștii din domeniul electronic.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
NTE222 |
Producător |
NTE Electronics |
Putere disipată |
0,36W
0.36W |
Carcasă |
TO72 |
Montare electrică |
THT |
Caracteristici elemente semiconductoare |
ESD protected gate
dual gate |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
50mA |
Tensiune drenă-sursă |
25V |
Subtip canal |
sărăcit |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Subtip tranzistor |
RF |
Fisiere asociate
Descarcari