Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă impresionantă de 650V și poate disipa o putere de până la 500W, făcându-l potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 135mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o fiabilitate remarcabilă. Subtipul canal îmbogățit și caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class îl fac potrivit pentru aplicații de putere înalte.
Montarea acestui tranzistor este simplă, datorită ambalajului în tub TO247-3, iar timpul de restabilire rapid de 400ns îl face ideal pentru aplicații cu cerințe stricte de timp. Cu o curent drenă de 32A și o încărcătură poartă de 54nC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-un pachet compact și ușor de integrat.
Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este alegerea perfectă pentru a asigura funcționarea optimă a sistemului dvs. electronic. Fiabil, eficient și puternic, acest tranzistor este soluția ideală pentru cerințele dvs. de putere înalte.