Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este o componentă de înaltă performanță, proiectată pentru a satisface cerințele cele mai exigente ale aplicațiilor electronice. Acest tranzistor are o tensiune de drenaj-sursă de 650V și poate suporta un curent de drenaj de până la 20A, fiind ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 63W. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,21Ω, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în condiții de utilizare intensivă.
Cu o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare și o fiabilitate de neegalat. Caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class garantează o funcționare stabilă și durabilă în cele mai dificile condiții de utilizare. De asemenea, timpul de restabilire rapid de doar 0,35µs asigură o comutare rapidă și precisă a semnalului.
În plus, acest tranzistor N-MOSFET este disponibil într-un ambalaj tub TO220FP, ușor de montat în aplicațiile THT. Cu o încărcătură de poartă de 35nC, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale. IXYS reprezintă un producător de încredere, cunoscut pentru produsele sale de calitate superioară. Alegeți tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS pentru performanțe exceptionale și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTP20N65XM |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
63W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220FP |
Caracteristici elemente semiconductoare |
ultra junction x-class |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
20A |
Tensiune drenă-sursă |
650V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,21Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
35nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
0,35µs |
Fisiere asociate
Descarcari