Categorii
  • Stoc epuizat
N-MOSFET Tranzistor 650V 20A 63W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 650V 20A 63W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 650V 20A 63W TO220FP

IXTP20N65XM
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este o componentă de înaltă performanță, proiectată pentru a satisface cerințele cele mai exigente ale aplicațiilor electronice. Acest tranzistor are o tensiune de drenaj-sursă de 650V și poate suporta un curent de drenaj de până la 20A, fiind ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 63W. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,21Ω, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în condiții de utilizare intensivă.

Cu o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare și o fiabilitate de neegalat. Caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class garantează o funcționare stabilă și durabilă în cele mai dificile condiții de utilizare. De asemenea, timpul de restabilire rapid de doar 0,35µs asigură o comutare rapidă și precisă a semnalului.

În plus, acest tranzistor N-MOSFET este disponibil într-un ambalaj tub TO220FP, ușor de montat în aplicațiile THT. Cu o încărcătură de poartă de 35nC, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale. IXYS reprezintă un producător de încredere, cunoscut pentru produsele sale de calitate superioară. Alegeți tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS pentru performanțe exceptionale și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXTP20N65XM
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 63W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Caracteristici elemente semiconductoare ultra junction x-class
Polarizare unipolar
Curent drenă 20A
Tensiune drenă-sursă 650V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,21Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 35nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 0,35µs
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: