Categorii
Tranzistor N-MOSFET 120V 32A 44W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 120V 32A 44W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 120V 32A 44W

P32F12SN-5600
Tranzistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
11,60 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 unipolar 120V 32A Idm: 128A 44W de la SHINDENGEN este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale excelente, cum ar fi puterea disipată de 44W, curentul de drenă în impuls de 128A și tensiunea drenă-sursă de 120V. Carcasa FTO-220AG (SC91) și montarea THT fac ca acest tranzistor să fie ușor de integrat în diverse proiecte electronice.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 15,5mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență maximă și o disipare optimă a căldurii. Subtipul canal îmbogățit și polarizarea unipolară îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, iar încărcătura poartă de 92nC asigură o comutare rapidă și precisă.

Tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 de la SHINDENGEN este soluția ideală pentru proiectele care necesită performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V și o tehnologie de ultimă generație, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru aplicațiile electronice de înaltă putere.
Detalii ale produsului
159 Produse

Fisa tehnica

Referință P32F12SN-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 44W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 128A
Polarizare unipolar
Curent drenă 32A
Tensiune drenă-sursă 120V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 15,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 92nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie EETMOS3
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: