Categorii
Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A 101W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A 101W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 10.6A 101W

IPW80R280P7XKSA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10,6A; 101W; PG-TO247-3
35,42 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub PG-TO247-3 și poate fi montat în mod tradițional. Cu o putere disipată de 101W, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o poartă protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), ceea ce îl face fiabil și durabil în timpul utilizării. Polarizarea unipolară și curentul de drenare de 10,6A îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o tensiune drenaj-sursă de 800V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de lucru variate. Rezistența în timpul funcționării de 0,28Ω asigură o conducție eficientă a curentului, în timp ce subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 36nC îl fac ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare.

Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia CoolMOS™ P7, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o eficiență ridicată și o fiabilitate excelentă. Cu o gamă largă de caracteristici și specificații impresionante, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
99 Produse

Fisa tehnica

Referință IPW80R280P7
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 101W
Montare THT
Carcasă PG-TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 10,6A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,28Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 36nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie CoolMOS™ P7
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: