Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub PG-TO247-3 și poate fi montat în mod tradițional. Cu o putere disipată de 101W, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii.
Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o poartă protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), ceea ce îl face fiabil și durabil în timpul utilizării. Polarizarea unipolară și curentul de drenare de 10,6A îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.
Cu o tensiune drenaj-sursă de 800V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de lucru variate. Rezistența în timpul funcționării de 0,28Ω asigură o conducție eficientă a curentului, în timp ce subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 36nC îl fac ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare.
Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia CoolMOS™ P7, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o eficiență ridicată și o fiabilitate excelentă. Cu o gamă largă de caracteristici și specificații impresionante, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.