Categorii
N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 50A 333W G3R40MT12K | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 50A 333W G3R40MT12K | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 50A 333W G3R40MT12K | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC Tranzistor 1,2kV 50A 333W G3R40MT12K

G3R40MT12K
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
120,14 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

40.12 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 50A Idm: 140A 333W, G3R40MT12K de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, conceput pentru performanțe excelente în aplicațiile electronice. Cu o putere disipată de 333W și un curent de drenă în impuls de 140A, acest tranzistor asigură o funcționare fiabilă și eficientă.

Montarea tranzistorului se face folosind tehnologia THT și are o carcasă TO247-4, oferind o instalare simplă și sigură. Subtipul ambalajului este sub formă de tub, iar tehnologia folosită este SiC, garantând durabilitate și performanțe superioare.

Caracteristicile elementelor semiconductoare includ terminalul Kelvin, rezistența în timpul funcționării de 40mΩ și un subtip de canal îmbogățit. Polarizarea este unipolară, iar curentul de drenă este de 50A, cu o tensiune drenă-sursă de 1.2kV.

Tensiunea poartă-sursă variază între -5 și 15V, iar încărcătura poartă este de 106nC. Acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă, oferind performanțe remarcabile într-un pachet compact și durabil.
Detalii ale produsului
279 Produse

Fisa tehnica

Referință G3R40MT12K
Producător GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 333W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 140A
Polarizare unipolar
Curent drenă 50A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă -5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 106nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie G3R™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: