Categorii
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W

Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR

DIW065SIC015-DIO
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
221,22 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

65.44 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicații care necesită eficiență și performanță superioară. Fabricat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest tranzistor beneficiază de o tehnologie avansată SiC care asigură o disipare a puterii de până la 550W, fiind capabil să suporte un curent de drenă de 100A și un curent de drenă în impuls de până la 300A. Montarea se realizează prin tehnologia THT, iar carcasa TO247-3 permite integrări ușoare în diverse aplicații.

Cu o tensiune drenă-sursă de 650V și o rezistență în timpul funcționării de doar 16mΩ, acest tranzistor garantează o performanță optimă și o eficiență energetică crescută. Polarizarea unipolară și o tensiune poartă-sursă variind între -4...15V îl fac versatil pentru o gamă largă de aplicații. Încărcătura poartă de 236nC și subtipul canalului îmbogățit contribuie la stabilitatea și rapiditatea comutării. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru soluții electrice de înaltă performanță, fiabilitate și eficiență.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință DIW065SIC015-DIO
Producător DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 550W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 300A
Polarizare unipolar
Curent drenă 100A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă -4...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 16mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 236nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: