Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ V unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, cu o putere disipată de 90W, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO220FP și poate fi montat prin tehnologia THT.
Cu caracteristici precum poarta protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD protected gate), acest tranzistor este proiectat pentru a asigura performanțe fiabile și durabile în timpul funcționării. Cu o polarizare unipolară, tranzistorul N-MOSFET poate gestiona un curent de drenaj de până la 7,3A și o tensiune drenaj-sursă de 650V.
Tensiunea poartă-sursă de ±25V asigură o funcționare stabilă și precisă, în timp ce rezistența redusă în timpul funcționării de 0,279Ω maximizează eficiența energetică a dispozitivului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar tehnologia MDmesh™ V oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Cu Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ V de la STMicroelectronics, veți obține un produs de încredere și performant pentru proiectele dvs. electronice.