Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 25A Idm: 80A 183W de la NEXPERIA este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 183W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini grele. Cu o curent de drenă în impuls de 80A și un curent de drenă de 25A, acest tranzistor este capabil să gestioneze o varietate de sarcini.
Carcasa TO247-3 asigură o montare ușoară și sigură, iar subtipul ambalajului sub formă de tub îl face convenabil de utilizat. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face ușor de integrat în diferite circuite. Tensiunea drenă-sursă de 1,2kV și tensiunea poartă-sursă de -10...22V oferă o protecție eficientă împotriva supratensiunilor.
Rezistența redusă în timpul funcționării de 0,12Ω și subtipul canal îmbogățit contribuie la eficiența energetică a acestui tranzistor. Încărcătura poartă de 52nC și tehnologia avansată SiC îl fac potrivit pentru aplicații sensibile la performanță. Cu acest tranzistor N-MOSFET de la NEXPERIA, veți obține rezultate remarcabile în proiectele dvs. electronice.