Categorii
N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W Tranzistor

B2M065120H
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
94,25 lei
Ultimele produse
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 33A Idm: 85A 250W de la BASiC SEMICONDUCTOR este un dispozitiv electronic de ultimă generație, proiectat pentru performanțe superioare în aplicațiile tale. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici tehnice deosebite, cum ar fi puterea disipată de 250W, curentul de drenă în impuls de 85A și tensiunea drenă-sursă de 1,2kV. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 65mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență maximă în circuitul tău.

Subtipul de ambalaj tub și montarea prin tehnologia THT facilitează integrarea acestui tranzistor în proiectele tale, iar carcasa TO247-3 oferă protecție și durabilitate sporită. Polarizarea unipolară și subtipul de canal îmbogățit contribuie la performanțe optimizate, iar încărcătura poartă de 60nC asigură o comutare rapidă și eficientă.

Tensiunea poartă-sursă cuprinsă între -4...18V conferă flexibilitate în utilizare, iar curentul de drenă de 33A și tensiunea poartă-sursă de 1,2kV fac din acest tranzistor alegerea ideală pentru aplicațiile tale de putere. Cu tehnologia SiC avansată, acest tranzistor oferă performanțe de vârf și fiabilitate pe termen lung. Alege Tranzistorul N-MOSFET SiC de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru proiectele tale de electronică cu adevărat remarcabile!
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință B2M065120H
Producător BASiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 250W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 85A
Polarizare unipolar
Curent drenă 33A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 65mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 60nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: