Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 30V 120A 338W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 30V 120A 338W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 30V 120A 338W

PSMN1R1-30PL,127
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
40,62 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NEXPERIA este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe în domeniul electronicelor. Cu o putere disipată de 338W și un curent de drenă în impuls de 1609A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o performanță deosebită. Carcasa TO220AB și SOT78 asigură o montare simplă și sigură, iar rezistența redusă în timpul funcționării de 1,8mΩ maximizează eficiența energetică.

Datorită polarizării unipolare și subtipului canal îmbogățit, acest tranzistor oferă o fiabilitate ridicată și o durată lungă de viață. Cu o tensiune drenă-sursă de 30V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest dispozitiv poate gestiona cu succes sarcini de până la 120A. Încărcătura poartă de 243nC și tipul N-MOSFET fac din acest tranzistor alegerea perfectă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță și durabilitate. Investiți în calitate și fiabilitate cu tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NEXPERIA!
Detalii ale produsului
38 Produse

Fisa tehnica

Referință PSMN1R1-30PL.127
Producător NEXPERIA
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 338W
Montare THT
Carcasă SOT78
TO220AB
Curent de drenă în impuls 1609A
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,8mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 243nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: