- Nou

Politica de securitate
Politica de livrare
Politica de returnare
Tranzistor N-MOSFET VISHAY IRF640PBF-BE3 200V 11A 125W TO220AB este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor N-MOSFET unipolar, cu canal îmbogățit, oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 200V și un curent de drenă continuu de 11A, asigurând o putere disipată de până la 125W.
Datorită carcasei TO220AB și montării THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse circuite electronice, oferind stabilitate termică și performanțe ridicate în aplicații industriale sau de putere. IRF640PBF-BE3 este alegerea potrivită pentru proiecte ce necesită fiabilitate și eficiență în comutare.
Fisa tehnica
Referință | IRF640PBF-BE3 |
Producător | VISHAY |
Subtip ambalaj | tub |
Putere disipată | 125W |
Montare | THT |
Carcasă | TO220AB |
Curent de drenă în impuls | 72A |
Polarizare | unipolar |
Curent drenă | 11A |
Tensiune drenă-sursă | 200V |
Tensiune poartă-sursă | ±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 0,18Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Încărcătură poartă | 70nC |
Tip tranzistor | N-MOSFET |
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Raport trimis
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Recenzia ta nu a putut fi trimisa
check_circle
check_circle