Categorii
N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 800V 26A APT38F80B2

APT38F80B2
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1,04kW
158,58 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

49.75 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 26A Idm: 150A 1,04kW, APT38F80B2 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe superioare în domeniul electronicelor.

Cu o montare THT și o carcasă TO247MAX, acest tranzistor utilizează tehnologia POWER MOS 8® pentru a asigura fiabilitate și eficiență. Cu o putere disipată de 1.04kW, acesta poate gestiona un curent de drenaj în impuls de până la 150A, facilitând astfel funcționarea optimă a dispozitivelor electronice.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru o varietate de aplicații, iar curentul de drenaj de 26A și tensiunea drenaj-sursă de 800V îl fac ideal pentru utilizare în diferite circuite. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și rezistența în timpul funcționării de 0.24Ω îl fac un component esențial pentru proiectele electronice complexe.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 260nC, acest tranzistor N-MOSFET este conceput pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Este un produs de încredere, care se remarcă prin calitate și eficiență, fiind alegerea perfectă pentru proiectele electronice exigente.
Detalii ale produsului
29 Produse

Fisa tehnica

Referință APT38F80B2
Producător MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată 1,04kW
1.04kW
Montare THT
Carcasă TO247MAX
Curent de drenă în impuls 150A
Polarizare unipolar
Curent drenă 26A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,24Ω
0.24Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 260nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie POWER MOS 8®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: