Tranzistor N-MOSFET 100V 99A 375W TO3PN ONSEMI este soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe remarcabile în condiții exigente. Proiectat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET se remarcă printr-o putere disipată de 375W și un curent de drenă de 99A, asigurând o eficiență optimă în circuite electrice complexe.
Carcasa TO3PN permite o montare THT (through-hole technology), facilitând integrarea acestuia în diverse aplicații. Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și o tensiune poartă-sursă de ±25V, acest tranzistor garantează stabilitate și fiabilitate în funcționare. Rezistența de doar 10mΩ în timpul funcționării contribuie la minimizarea pierderilor de energie, iar curentul de drenă în impuls de 560A asigură capacitatea de a face față sarcinilor dinamice.
Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit oferă un răspuns rapid și un control eficient al curentului. Încărcătura poartă de 285nC permite o comutare rapidă, sporind performanța generală a sistemului. Acest tranzistor este alegerea perfectă pentru inginerii care caută fiabilitate, putere și inovație în proiectele lor. Alege Tranzistorul N-MOSFET 100V 99A 375W TO3PN ONSEMI pentru soluții de înaltă performanță!
Detalii ale produsului
23 Produse
Fisa tehnica
Referință
FQA140N10
Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
375W
Montare
THT
Carcasă
TO3PN
Curent de drenă în impuls
560A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
99A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
10mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
285nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.