Categorii
Tranzistor N-MOSFET 55V 80A 200W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 55V 80A 200W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 55V 80A 200W TO247

NTE2913
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
42,92 lei
Ultimele produse
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NTE Electronics este o alegere excelentă pentru aplicațiile electronice care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Cu o carcasă TO247 și o putere disipată de 200W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de până la 80A de curent de drenă.

Cu o tensiune drenă-sursă de 55V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în aplicațiile cu cerințe ridicate de tensiune. Rezistența sa în timpul funcționării de 8mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Tranzistorul este polarizat unipolar și are un subtip de canal îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu o montare THT ușoară, acest tranzistor poate fi integrat rapid și ușor în proiectele dvs. electronice. Cu un curent de drenă în impuls de 390A, acest tranzistor este proiectat pentru a face față sarcinilor intense cu ușurință. Optați pentru tranzistorul N-MOSFET de la NTE Electronics pentru performanțe de încredere și durabilitate în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
2 Produse

Fisa tehnica

Referință NTE2913
Producător NTE Electronics
Putere disipată 200W
Montare THT
Carcasă TO247
Curent de drenă în impuls 390A
Polarizare unipolar
Curent drenă 80A
Tensiune drenă-sursă 55V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: