Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NTE Electronics este o alegere excelentă pentru aplicațiile electronice care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Cu o carcasă TO247 și o putere disipată de 200W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de până la 80A de curent de drenă.
Cu o tensiune drenă-sursă de 55V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în aplicațiile cu cerințe ridicate de tensiune. Rezistența sa în timpul funcționării de 8mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.
Tranzistorul este polarizat unipolar și are un subtip de canal îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu o montare THT ușoară, acest tranzistor poate fi integrat rapid și ușor în proiectele dvs. electronice. Cu un curent de drenă în impuls de 390A, acest tranzistor este proiectat pentru a face față sarcinilor intense cu ușurință. Optați pentru tranzistorul N-MOSFET de la NTE Electronics pentru performanțe de încredere și durabilitate în proiectele dvs. electronice.