Categorii
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,1A; Idm: -12A; 25W
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,1A; Idm: -12A; 25W
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,1A; Idm: -12A; 25W

Tranzistor P-MOSFET VISHAY IRFU9110PBF -100V 3,1A 25W Idm -12A

IRFU9110PBF
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,1A; Idm: -12A; 25W
8,24 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET VISHAY IRFU9110PBF -100V 3,1A 25W Idm -12A este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor P-MOSFET dispune de o tensiune maximă drenă-sursă de -100V și un curent de drenă continuu de -3,1A, cu un curent de drenă în impuls de -12A, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă.




  • Producător: VISHAY

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 25W

  • Montare: THT (Through-Hole Technology)

  • Carcasă: IPAK, TO251

  • Polarizare: unipolar

  • Subtip canal: îmbogățit

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 1,2Ω

  • Încărcătură poartă: 8,7nC

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Tip tranzistor: P-MOSFET



Datorită carcasei IPAK (TO251) și montării THT, acest tranzistor este ușor de integrat în circuite electronice diverse, fiind potrivit pentru aplicații industriale și de putere. Rezistența scăzută în timpul funcționării și încărcătura redusă a porții contribuie la eficiența energetică și la performanța optimă a dispozitivului.

Detalii ale produsului
486 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFU9110PBF
Producător VISHAY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 25W
Montare THT
Carcasă IPAK
TO251
Curent de drenă în impuls -12A
Polarizare unipolar
Curent drenă -3,1A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,2Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 8,7nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: