Descriere
Tranzistorul P-MOSFET PolarP™ unipolar -200V -26A 300W TO3P de la IXYS este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor este proiectat pentru a oferi o putere disipată de 300W, având o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de -200V. Cu un curent de drenă de -26A și o rezistență în timpul funcționării de 0,17Ω, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă.
Subtipul de ambalaj al tranzistorului este tub, iar montarea se face prin orificii cu plumb (THT). Carcasa TO3P oferă o bună disipare a căldurii, contribuind la durabilitatea și eficiența tranzistorului. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar încărcătura poartă este de 56nC, ceea ce asigură o comutare rapidă și precisă a semnalului.
Acest tranzistor P-MOSFET este de tip îmbogățit, având un timp de restabilire de 240ns și tehnologie PolarP™, care îmbină performanța superioară cu eficiența energetică. Cu o gamă variată de aplicații posibile, tranzistorul IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o funcționare fiabilă și de lungă durată.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTQ26P20P |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
300W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO3P |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
-26A |
Tensiune drenă-sursă |
-200V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,17Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
56nC |
Tip tranzistor |
P-MOSFET |
Timp de restabilire |
240ns |
Tehnologie |
PolarP™ |
Fisiere asociate
Descarcari