Categorii
Tranzistor P-MOSFET 55V 19A 68W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET 55V 19A 68W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET 55V 19A 68W TO220AB

IRF9Z34NPBF
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
10,93 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -55V -19A 68W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale de înaltă performanță, fiind potrivit pentru o gamă variată de aplicații.

Producător: INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj: tub
Montare: THT
Carcasă: TO220AB
Putere disipată: 68W
Polarizare: unipolar
Curent drenă: -19A
Tensiune drenă-sursă: -55V
Tensiune poartă-sursă: ±20V
Rezistență în timpul funcționării: 0,1Ω
Subtip canal: îmbogățit
Încărcătură poartă: 23,3nC
Tip tranzistor: P-MOSFET
Tehnologie: HEXFET®

Cu o putere disipată impresionantă de 68W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de curent ridicate, fiind ideal pentru aplicații care necesită un nivel înalt de performanță și fiabilitate. Polarizarea unipolară și rezistența redusă în timpul funcționării asigură o funcționare eficientă și stabilă.

Datorită tehnologiei HEXFET®, acest tranzistor oferă performanțe superioare și o durată lungă de viață, fiind o alegere excelentă pentru proiectele dumneavoastră electronice. Fiind un P-MOSFET, acesta este potrivit pentru aplicații care necesită un control precis al tensiunii și curentului.

În concluzie, Tranzistorul P-MOSFET unipolar -55V -19A 68W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o soluție fiabilă și performantă pentru proiectele dumneavoastră electronice, oferind o combinație perfectă între putere, eficiență și durabilitate.
Detalii ale produsului
836 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF9Z34NPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 68W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă -19A
Tensiune drenă-sursă -55V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,1Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 23,3nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: