Categorii
Etichete
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
  • Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns

Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ IXYS -150V -44A 298W 140ns

IXTP44P15T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
56,24 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ IXYS -150V -44A 298W 140ns este proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicații de putere. Cu o tensiune drenă-sursă de -150V și un curent drenă de -44A, acest tranzistor este ideal pentru circuite care necesită fiabilitate și eficiență ridicată. Tehnologia TrenchP™ asigură o rezistență în timpul funcționării de doar 65mΩ, ceea ce contribuie la o disipare a puterii de 298W, reducând astfel pierderile energetice.

Montat prin tehnologia THT și având o carcasă TO220AB, acest tranzistor se integrează ușor în diverse aplicații. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit oferă o flexibilitate crescută în proiectarea circuitelor. Timpul de restabilire de 140ns și încărcătura poartă de 175nC fac din acest produs o alegere excelentă pentru aplicații rapide și eficiente.

Alege Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ IXYS pentru soluții de înaltă performanță în domeniul electronicii de putere.
Detalii ale produsului
291 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP44P15T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 298W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă -44A
Tensiune drenă-sursă -150V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 65mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 175nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 140ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie

Descarcari (8.2KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: