Categorii
Etichete
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25,5A; 294W; TO3PN
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25,5A; 294W; TO3PN
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25,5A; 294W; TO3PN

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI FQA36P15 150V 25,5A 294W TO3PN

FQA36P15
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25,5A; 294W; TO3PN
40,63 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI FQA36P15 150V 25,5A 294W TO3PN este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET utilizează tehnologia avansată QFET® pentru a asigura o rezistență scăzută în timpul funcționării (90mΩ) și o disipare a puterii de până la 294W.




  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 294W

  • Montare: THT

  • Carcasă: TO3PN

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -25,5A

  • Tensiune drenă-sursă: -150V

  • Tensiune poartă-sursă: ±30V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 90mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 105nC

  • Tip tranzistor: P-MOSFET

  • Tehnologie: QFET®



Designul robust și caracteristicile tehnice fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru circuite de putere, surse de alimentare și aplicații industriale ce necesită fiabilitate și performanță superioară.

Detalii ale produsului
282 Produse

Fisa tehnica

Referință FQA36P15
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 294W
Montare THT
Carcasă TO3PN
Polarizare unipolar
Curent drenă -25,5A
Tensiune drenă-sursă -150V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 90mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 105nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Tehnologie QFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
64 produse asociate: