Categorii
Tranzistor P-MOSFET -65V 120A 298W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -65V 120A 298W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -65V 120A 298W

IXTP120P065T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
58,02 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -65V -120A 298W 53ns de la IXYS este un produs de înaltă performanță, conceput pentru a satisface nevoile exigente ale industriei electronice. Acest tranzistor este echipat cu caracteristici impresionante, cum ar fi puterea disipată de 298W, curentul de drenaj de -120A și o rezistență în timpul funcționării de 10mΩ. Cu o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă o performanță fiabilă și constantă. Carcasa TO220AB și montarea THT îl fac ușor de integrat în diverse aplicații. Tensiunea drenaj-sursă de -65V, tensiunea poartă-sursă de ±15V și timpul de restabilire de 53ns îl fac potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Cu tehnologia TrenchP™ avansată, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și durabilă. Fiind produs de IXYS, unul dintre cei mai reputați producători de componente electronice, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor.
Detalii ale produsului
272 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP120P065T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 298W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă -120A
Tensiune drenă-sursă -65V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 10mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 185nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 53ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: