Categorii
Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -100V 210A 1040W IXTX210P10T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -100V 210A 1040W IXTX210P10T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -100V 210A 1040W IXTX210P10T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchP™ -100V 210A 1040W IXTX210P10T

IXTX210P10T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
218,48 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

64.75 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -210A 1040W, IXTX210P10T este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o putere disipată de 1.04kW și o rezistență în timpul funcționării de doar 7.5mΩ, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-un pachet compact.

Montarea facilă prin tehnologia THT și carcasa PLUS247™ face acest tranzistor potrivit pentru o varietate de aplicații, iar subtipul de ambalaj sub formă de tub asigură protecție și durabilitate. Cu o polarizare unipolară, curentul drenă de -210A și tensiunea drenă-sursă de -100V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere și fiabilitate.

Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 740nC asigură o funcționare stabilă și eficientă, iar timpul de restabilire rapid de 200ns face acest tranzistor ideal pentru aplicații cu cerințe stricte de timp. Cu tensiunea poartă-sursă de ±15V, acest tranzistor oferă flexibilitate și fiabilitate într-o varietate de aplicații.

În concluzie, tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -210A 1040W, IXTX210P10T este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită performanțe superioare și fiabilitate de încredere.
Detalii ale produsului
20 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTX210P10T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,04kW
1.04kW
Montare THT
Carcasă PLUS247™
Polarizare unipolar
Curent drenă -210A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 7,5mΩ
7.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 740nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 200ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: