Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -200V -32A 300W 190ns este un dispozitiv de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o rezistență scăzută în timpul funcționării. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale superioare, cum ar fi carcasa TO220AB durabilă, montarea prin găuri prin placa de circuit, și o tensiune drenă-sursă de -200V. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,13Ω, acest tranzistor oferă o eficiență maximă și o fiabilitate deosebită.
Datorită tehnologiei avansate TrenchP™, acest tranzistor este optimizat pentru performanțe ridicate și o durată lungă de viață. De asemenea, subtipul canal îmbogățit și încărcătura mare a porții de 185nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații cu cerințe critice de comutare. Timpul de restabilire rapid de 190ns îl face potrivit pentru aplicații care necesită comutare rapidă și precisă.
Cu o putere disipată impresionantă de 300W și o tensiune poartă-sursă de ±15V, acest tranzistor IXYS reprezintă soluția perfectă pentru proiectele electronice complexe. Fiind un produs de înaltă calitate de la un producător de renume, acest tranzistor P-MOSFET este alegerea ideală pentru profesioniștii din domeniul electronicelor care caută performanțe superioare și fiabilitate de neegalat.