Categorii
P-MOSFET TrenchP™ -150V 15A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET TrenchP™ -150V 15A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET TrenchP™ -150V 15A 150W

IXTP15P15T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
40,01 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -150V -15A 150W 116ns de la IXYS este un dispozitiv electronic de mare performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale tehnice impresionante, care îl fac o alegere excelentă pentru proiectele care necesită o putere mare și o dissipare eficientă a căldurii.

Cu o putere disipată de 150W și o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă o performanță fiabilă și constantă în timpul funcționării. Curentul de drenă de -15A și tensiunea drenă-sursă de -150V asigură o funcționare stabilă și eficientă, în timp ce tensiunea poartă-sursă de ±15V permite controlul precis al dispozitivului.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,24Ω și un timp de restabilire rapid de 116ns, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Tehnologia TrenchP™ și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și eficientă.

În concluzie, tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ de la IXYS reprezintă o soluție de înaltă calitate pentru proiectele electronice care necesită o putere mare și o performanță de încredere. Cu caracteristicile sale tehnice remarcabile și tehnologia de ultimă generație, acest tranzistor este perfect pentru aplicațiile care necesită o soluție eficientă și fiabilă.
Detalii ale produsului
182 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP15P15T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 150W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă -15A
Tensiune drenă-sursă -150V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,24Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 48nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 116ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: