Categorii
Tranzistor P-MOSFET TrenchP -100V 195A 390W IXTR210P10T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP -100V 195A 390W IXTR210P10T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP -100V 195A 390W IXTR210P10T | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchP -100V 195A 390W IXTR210P10T

IXTR210P10T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
268,46 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

77.28 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXTR210P10T este un dispozitiv puternic, proiectat de către IXYS, cu o putere de disipare impresionantă de 390W. Montat într-un pachet ISOPLUS247™, acest tranzistor P-MOSFET TrenchP™ unipolar oferă o tensiune drenă-sursă de -100V și poate suporta un curent de drenaj de până la -195A. Tehnologia TrenchP™ utilizată în acest dispozitiv asigură o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 8mΩ, optimizând eficiența și performanța. Subtipul canalului este îmbogățit, iar tensiunea poartă-sursă este de ±15V. Cu o încărcătură de poartă de 740nC și un timp de restabilire rapid de 200ns, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o gestionare eficientă a puterii.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTR210P10T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 390W
Montare THT
Carcasă ISOPLUS247™
Polarizare unipolar
Curent drenă -195A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 8mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 740nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 200ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: