Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 250V 35A Idm: 236A 392W TO3PN de la ONSEMI este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 392W, un curent de drenă în impuls de 236A și o tensiune drenă-sursă de 250V. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 49mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente într-o varietate de aplicații.
Subtipul ambalajului este de tip tub, iar montarea este realizată prin tehnologia THT. Carcasa TO3PN asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la o temperatură optimă în timpul funcționării. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu sensibilitate la zgomot.
Tranzistorul N-MOSFET ONSEMI este proiectat să funcționeze la un curent de drenă de 35A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de operare. Cu o încărcătură de poartă de 82nC, acest tranzistor oferă performanțe ridicate în aplicațiile cu cerințe critice de comutare.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 250V 35A Idm: 236A 392W TO3PN de la ONSEMI este o alegere excelentă pentru aplicații care necesită performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Fiind un tranzistor N-MOSFET de înaltă calitate, acest produs va satisface cu siguranță cerințele celor mai exigente proiecte electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
FDA59N25 |
Producător |
ONSEMI |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
392W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO3PN |
Curent de drenă în impuls |
236A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
35A |
Tensiune drenă-sursă |
250V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
49mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
82nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |