Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 250V 35A 392W TO3PN | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 35A 392W TO3PN | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 250V 35A 392W TO3PN

FDA59N25
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
34,17 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 250V 35A Idm: 236A 392W TO3PN de la ONSEMI este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 392W, un curent de drenă în impuls de 236A și o tensiune drenă-sursă de 250V. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 49mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente într-o varietate de aplicații.

Subtipul ambalajului este de tip tub, iar montarea este realizată prin tehnologia THT. Carcasa TO3PN asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la o temperatură optimă în timpul funcționării. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu sensibilitate la zgomot.

Tranzistorul N-MOSFET ONSEMI este proiectat să funcționeze la un curent de drenă de 35A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de operare. Cu o încărcătură de poartă de 82nC, acest tranzistor oferă performanțe ridicate în aplicațiile cu cerințe critice de comutare.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 250V 35A Idm: 236A 392W TO3PN de la ONSEMI este o alegere excelentă pentru aplicații care necesită performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Fiind un tranzistor N-MOSFET de înaltă calitate, acest produs va satisface cu siguranță cerințele celor mai exigente proiecte electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință FDA59N25
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 392W
Montare THT
Carcasă TO3PN
Curent de drenă în impuls 236A
Polarizare unipolar
Curent drenă 35A
Tensiune drenă-sursă 250V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 49mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 82nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: