Categorii
N-MOSFET Polar 300V 170A 1250W IXFB170N30P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 300V 170A 1250W IXFB170N30P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 300V 170A 1250W IXFB170N30P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Polar 300V 170A 1250W IXFB170N30P

IXFB170N30P
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
157,11 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

49.38 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXFB170N30P este un dispozitiv puternic, proiectat de IXYS, ce oferă o soluție eficientă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de putere. Montat în tehnologia THT și încadrat în carcasa PLUS264™, acest tranzistor unipolar N-MOSFET are o putere disipată impresionantă de 1.25kW. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de 170A, acest dispozitiv poate funcționa la tensiuni de până la 300V între drenă și sursă. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 18mΩ asigură performanțe excelente în aplicațiile tale. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 258nC optimizează funcționarea dispozitivului. Tranzistorul IXFB170N30P este un N-MOSFET de înaltă calitate, cu un timp de restabilire rapid de 200ns, perfect pentru aplicațiile tale de putere.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFB170N30P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,25kW
1.25kW
Montare THT
Carcasă PLUS264™
Polarizare unipolar
Curent drenă 170A
Tensiune drenă-sursă 300V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 18mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 258nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 200ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: